Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4809N
NTD4809NHT4G Hakkında
NTD4809NHT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 9.6A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 58A (Tc) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 2.5V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Geçiş modu amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör tasarımlarında uygulanır. Giriş kapasitesi 2155pF (12V'da) ve gate yükü 15nC (4.5V'da) olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok