Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4809NH-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4809NH
NTD4809NH-35G Hakkında
NTD4809NH-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 9.6A sürekli dren akımı ve termal açıdan 58A kapasitesi bulunmaktadır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (9mOhm @ 30A, 10V) sayesinde güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama regülatörleri ve çeşitli endüstriyel kontrol devrelerinde kullanıma uygundur. 4.5V ile 11.5V arasında drive voltajı ile çalıştırılabilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok