Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4809NH-1G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4809NH
NTD4809NH-1G Hakkında
NTD4809NH-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.6A (Ta) / 58A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 9mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kaynağa sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve analog anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.5V threshold voltajı ve 15nC gate charge değerleri hızlı ve verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok