Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4809NAT4G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4809N
NTD4809NAT4G Hakkında
NTD4809NAT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 9.6A sürekli akım kapasitesine (Ta) ve 58A yüksek akım değerine (Tc) sahiptir. Surface mount TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (9mOhm @ 30A, 10V) özelliği nedeniyle güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 2.5V olup, hızlı komütasyon için optimize edilmiş 13nC gate charge değerine sahiptir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok