Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4809NA-35G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4809NA

NTD4809NA-35G Hakkında

NTD4809NA-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimde çalışan bu bileşen, 9.6A sürekli akım (Ta) veya 58A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan komponent, güç uygulamalarında, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. Bileşen şu anda obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1456 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok