Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4808N-35G

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4808N

NTD4808N-35G Hakkında

NTD4808N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 10A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 63A drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8mOhm @ 30A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Maksimum 54.6W güç tüketimi (Tc) ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1538 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok