Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4808N-1G

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4808N

NTD4808N-1G Hakkında

NTD4808N-1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10A (Ta) / 63A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8mΩ (30A, 10V) düşük on-resistance değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında ve 54.6W (Tc) güç dağılımı kapasitesiyle sunucu güç kaynakları, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. ±20V gate-source gerilimi desteği ve 2.5V (250µA) threshold voltajı hızlı komutasyonu mümkün kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1538 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok