Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4806NA-1G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4806NA

NTD4806NA-1G Hakkında

NTD4806NA-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 11.3A sürekli (Ta) veya 79A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (6mOhm @ 30A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. Gate charge özellikleri (23nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete) ancak stok temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok