Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4806N-35G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4806N

NTD4806N-35G Hakkında

NTD4806N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 79A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü uygulamalarında ve ağır akım anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Bileşenin üretimi durdurulmuş olup, mevcut stoklar sınırlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok