Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD4806N-1G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD4806N
NTD4806N-1G Hakkında
NTD4806N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 79A (Tc) maksimum drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. RoHS uyumlu paketleme ve through-hole montaj tipi endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2142 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok