Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD4302-1G

MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD4302

NTD4302-1G Hakkında

NTD4302-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8.4A sürekli drain akımı (Ta) / 68A (Tc) kapasitesi ile çalışır. TO-251-3 (IPAK) kasa tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 10mOhm maksimum on-direnci (Vgs=10V, Id=20A) ve 3V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İçerik anahtarlaması, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 1.04W (Ta) / 75W (Tc) güç disipasyonu kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 24 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok