Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD3817NT4G

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD3817N

NTD3817NT4G Hakkında

NTD3817NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V drain-source voltaj kapasitesi ve 7.6A sürekli akım değerleri ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve düşük voltajlı uygulamalarda kullanılır. 13.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 1.2W (Ta) ve 25.9W (Tc) güç dağılım kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uyarlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 702 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok