Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD3817N-35G

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD3817N

NTD3817N-35G Hakkında

NTD3817N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 16V drain-source voltajı ve 7.6A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-251 (IPAK) kapsülde sunulmaktadır. 10V gate voltajında maksimum 13.9mΩ on-resistance değerine sahip olan transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltaj güç kaynakları gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 25.9W (Tc) maksimum güç dağılımına sahiptir. Hızlı anahtarlama özelliği nedeniyle yüksek frekans DC-DC dönüştürücülerinde ve PWM uygulamalarında tercih edilebilir. Ürün günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 702 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok