Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD3817N-1G
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD3817N
NTD3817N-1G Hakkında
NTD3817N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V Drain-Source gerilimi ile 7.6A sürekli (Ta) veya 34.5A (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde gelen bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde işletilir. Maksimum 13.9mOhm On-Resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. Gate Charge 10.5nC ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 702 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok