Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD3813NT4G

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD3813NT

NTD3813NT4G Hakkında

NTD3813NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V drain-source voltajında 51A (Tc) sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 1.2W (Ta) ve 34.9W (Tc) güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 963 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok