Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD3813N-35G

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD3813N

NTD3813N-35G Hakkında

NTD3813N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V Drain-Source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 9.6A sürekli dren akımı sağlar. Tip-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (8.75mOhm @ 15A, 10V) karakteristiğiyle güç uygulamalarında anahtarlama işlevlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve enerji dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen şu anda üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 963 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.75mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok