Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD3813N-1G
MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD3813N
NTD3813N-1G Hakkında
NTD3813N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 16V Vdss derecelendirilmesi ve 9.6A (Ta) / 51A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketlemesi ile através delikli montaj için tasarlanmıştır. 8.75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. LED sürücüleri, güç denetimi, anahtarlama devreleri ve düşük voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 963 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.75mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok