Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD3808NT4G

MOSFET N-CH 16V 12A/76A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD3808NT

NTD3808NT4G Hakkında

NTD3808NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 16V Drain to Source gerilimi ile 12A sürekli (Ta) ve 76A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. TO-252 DPAK paketinde sunulan bu bileşen, düşük On-State direnç değerleri (5.8mOhm @ 10V) ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesine olanak tanır. MOSFET, hızlı anahtarlama sürelerine sahip 21nC gate charge ile güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konverterler ve anahtarlamali güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 16 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok