Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD3808N-35G
MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD3808N
NTD3808N-35G Hakkında
NTD3808N-35G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V drain-source geriliminde 12A sürekli akım (Ta) ve 76A akım (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (5.8mOhm @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 1.3W (Ta) ve 52W (Tc) güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motorlu kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate charge 21nC, input capacitance 1660pF'dir. Ürün kullanım dışı (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok