Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD3808N-1G
MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD3808N
NTD3808N-1G Hakkında
NTD3808N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 16V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli (Ta) / 76A (Tc) sabit dren akımı özellikleriyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 5.8mΩ @ 10V Rds(On) değeri ve 52W güç yayılımı kapasitesi sayesinde verimli kontrol sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Bileşen artık kullanılmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 76A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok