Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD360N80S3Z

MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD360N80S3Z

NTD360N80S3Z Hakkında

NTD360N80S3Z, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) yüksek ısı dağıtma kabiliyeti sağlayan paket tipinde sunulmaktadır. 13A sürekli drain akımı ve 360mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 96W güç tüketebilir. Yüksek gerilim (Vdss) kapasitesi nedeniyle endüstriyel güç kaynakları, inverter devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüşü ile kolaylıkla kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1143 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok