Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD360N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD360N65S3

NTD360N65S3H Hakkında

NTD360N65S3H, onsemi tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Rds(on) değeri 360mΩ @ 5A, 10V olup, şalter uygulamaları, AC/DC konvertörleri, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda etkindir. SuperFET teknolojisi ile tasarlanmış olan bu transistör, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Surface Mount TO-252 paketinde sunulan bileşen, 83W güç kayıplarında çalışabilir ve ±30V gate voltajı ile kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 916 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 700µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok