Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD32N06-1G
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD32N06
NTD32N06-1G Hakkında
NTD32N06-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 32A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 26mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, solenoid sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 60nC gate charge ve 1725pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1725 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok