Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD30N02T4G
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD30N02T4
NTD30N02T4G Hakkında
NTD30N02T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30A sürekli dren akımı ve 24V drain-source gerilim değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 14.5mΩ RDS(on) değeri düşük kaybı sağlar. DPak paketinde sunulan bu bileşen, motor denetleyicileri, güç kaynakları, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 75W güç yayma kapasitesi ile çeşitli ortamlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok