Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD30N02G
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD30N02G
NTD30N02G Hakkında
NTD30N02G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source voltajı ve 30A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 14.5mΩ maksimum on-direnci ve düşük gate charge (20nC) değerleri ile verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralıklarındaki kullanımı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok