Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD3055L104G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD3055L104G
NTD3055L104G Hakkında
NTD3055L104G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 12A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-state direnci (RDS(on)) ile güç yönetimi uygulamalarında verimli performans sağlar. 5V gate sürücü voltajında optimize edilmiş bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount TO-252-3 (DPak) paket içinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 48W güç tüketimine (Tj) ve 20nC gate yükü karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok