Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD2955
NTD2955T4G Hakkında
NTD2955T4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 12A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 55W güç dissipasyonunu destekler. Gate charge karakteristiği 30nC @ 10V olup, giriş kapasitansı 750pF @ 25V'tir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve batarya koruma sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 10V drive voltajı ile çalışan bu transistör, düşük RDS(on) direnci sayesinde enerji verimli tasarımlara imkan sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok