Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD2955-1G
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD2955
NTD2955-1G Hakkında
NTD2955-1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-251-3 (I-PAK) kapsülde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 55W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında optimize edilmiştir ve ±20V maksimum gate-source gerilimini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok