Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD25P03LG

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD25P03LG

NTD25P03LG Hakkında

NTD25P03LG, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5V gate geriliminde 80mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük-voltaj güç kontrolü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 75W maksimum güç tüketimi desteği sunar. 20nC gate charge ve 1260pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok