Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD25P03L1G
MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD25P03L1G
NTD25P03L1G Hakkında
NTD25P03L1G, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj toleransı ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 80mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 75W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok