Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD24N06LT4G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD24N06LT4G
NTD24N06LT4G Hakkında
NTD24N06LT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 24A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 45mOhm maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 62.5W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun özellikleri içerir. 5V sürüş voltajıyla CMOS ve TTL lojik seviyeleriyle uyumlu olarak çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok