Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD23N03RG

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD23N03R

NTD23N03RG Hakkında

NTD23N03RG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 3.8A (Ta) / 17.1A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı pakete encapsule edilmiştir. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve gerilim düzenleyiciler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılan bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok