Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD23N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD23N03R
NTD23N03R-1G Hakkında
NTD23N03R-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 3.8A (Ta) / 17.1A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 45mΩ maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Maksimum 1.14W (Ta) / 22.3W (Tc) güç tüketim kapasitesine sahip olup, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.76 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok