Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD23N03R-001

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD23N03R

NTD23N03R-001 Hakkında

NTD23N03R-001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.8A sürekli dren akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketlemesi ile through-hole montajına uygun bir komponenttir. 45mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve lojik seviye transistör uygulamalarında kullanılır. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok