Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD20N06-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD20N06
NTD20N06-1G Hakkında
NTD20N06-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 46mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge değeri 30nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±20V gate gerilimi ile çalışabilen bu FET, endüstriyel kontrol, elektrikli araç sistemleri ve elektrik elektronik cihazların güç devrelerinde yaygın şekilde uygulanmaktadır. (Not: Bu ürün obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.88W (Ta), 60W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok