Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD20N03L27T4G
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD20N03L27T4G
NTD20N03L27T4G Hakkında
NTD20N03L27T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 20A sürekli drenaj akımı sağlayan bu component, 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 5V gate voltajında 10A akımda 27mΩ direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Güç yönetimi, DC/DC konvertörler, motor kontrol ve güç dağıtım uygulamalarında kullanılan bu component, 1.75W (Ta) ve 74W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 18.9nC gate yükü ve 1260pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok