Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD20N03L27G

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD20N03L27G

NTD20N03L27G Hakkında

NTD20N03L27G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 27mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motorlar için sürücü devreler, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmasına uygun kılar. Gövde kaynağı üzerinde Tab sayesinde ısıl yönetimi iyileştirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok