Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD20N03L27-1G
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD20N03L27
NTD20N03L27-1G Hakkında
NTD20N03L27-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 27mΩ (5V, 10A'de) düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Gate kapasitesi 1260pF, gate yükü 18.9nC'dir. Yüksek hızlı anahtarlama ve düşük kaynaklanma gerilimli (2V @ 250µA) tasarım, mobil uygulamaları ve pil yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok