Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD20N03L27-001

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD20N03L27

NTD20N03L27-001 Hakkında

NTD20N03L27-001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulur. 5V gate geriliminde maksimum 27mOhm on-direnç değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Gate threshold gerilimi 2V'tir ve maksimum ±20V gate geriliminde çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok