Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD18N06T4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD18N06T4G
NTD18N06T4G Hakkında
NTD18N06T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürü voltajında 60mΩ on-direnci sunar. Düşük gate yükü (30nC) ve kompakt giriş kapasitesi (710pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 55W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok