Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD18N06LG

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD18N06LG

NTD18N06LG Hakkında

NTD18N06LG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 18A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) paket tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor sürücülerinde, güç dönüştürücülerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 5V gate sürüş voltajı ile standart lojik devreleriyle uyumludur. 65mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok