Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD18N06G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD18N06G

NTD18N06G Hakkında

NTD18N06G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 18A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 60mΩ maksimum açık durum direnci (RDS(on)) ile verimli işletme sunar. Gate charge 30nC ve input capacitance 710pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon yapabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok