Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD18N06-1G
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD18N06
NTD18N06-1G Hakkında
NTD18N06-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim ve 18A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 60mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren devreler için uygun seçimdir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum gate gerilimi ±20V, Gate-Source eşik gerilimi 4V @ 250µA'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok