Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD18N06

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD18N06

NTD18N06 Hakkında

NTD18N06, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 18A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 60mΩ maksimum RDS(On) değerine sahiptir. DPAK (TO-252-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve diğer güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 2.1W (Ta) maksimum güç harcaması ile verimli tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok