Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD15N06T4G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD15N06T4G

NTD15N06T4G Hakkında

NTD15N06T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V sürücü voltajında 90mOhm maksimum on-state direnci ile özellikle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 1.5W (Ta) ile 48W (Tj) güç dağıtımına toleranstır. Düşük gate charge (20nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok