Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD15N06LT4G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD15N06LT4G

NTD15N06LT4G Hakkında

NTD15N06LT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltajı ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 5V gate sürücü voltajında 100mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 20nC gate charge ve 440pF input kapasitansı hızlı anahtarlama karakteristiğini sağlar. ±15V maksimum gate-source voltajı ve 48W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile röbust bir tasarım sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok