Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD12N10G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD12N10G
NTD12N10G Hakkında
NTD12N10G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlamalar gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Maksimum 1.28W (Ta) güç tüketimi ile termal yönetim gereksinimleri sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok