Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD110N02RG
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD110N02R
NTD110N02RG Hakkında
NTD110N02RG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 24V drain-source gerilim kapasitesi ile 110A (Tc) ve 12.5A (Ta) sürekli dren akımı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (28 nC @ 4.5V) ve 4.6 mΩ on-state direnci (Rds On) özellikleriyle dikkat çeker. -55°C ile 175°C arasında çalışır, 110W (Tc) güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source gerilim toleransı ile çeşitli kontrol devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok