Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD110N02R
NTD110N02R-001G Hakkında
NTD110N02R-001G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 110A (Tc) yüksek akım kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu komponentin maksimum Rds(on) değeri 4.6mOhm'dur. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Gate eşik gerilimi 2V'tedir. Düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Komponentin durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok