Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD110N02R-001

MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
NTD110N02R

NTD110N02R-001 Hakkında

NTD110N02R-001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 24V drain-source voltaj ve 110A (Tc) süreklı dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 4.6mOhm on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 28nC gate charge ve 3440pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok